一般情况下普遍用于高端驱动的MOS，导通时需要是栅极电压大于源极电压，而高端驱动的MOS管导通时源极电压与漏极电压(VCC)相同，所以这时栅极电压要比VCC大4V或10V
晶闸管是晶体闸流管的简称，又称作可控硅整流器(SCR)，是由三个PN结构成的一种大功率半导体器件。在性能上，晶闸管不仅具有单向导电性，而且还具有比硅整流元件更为可贵的可控性，它只有导通和关断两种状态。
单向晶闸管(Silicon Controlled Rectifier，简称SCR)是一种半导体器件，也是最早的一种晶闸管。它由四个半导体区域组成，具有三个电极：阳极、阴极和控制极。单向晶闸管具有单向导电性，只能从阳极流向阴极，反向电流非常小。同时，单向晶闸管具有可控性，可以通过控制极的信号来控制导通状态，广泛应用于电力电子设备中。
